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硅烷熱分解法制取高純硅的化學原理
在高純硅的制備方法中，熱分解法SiH4具有廣闊的應用前景。該方法的整個過程可分為三個部分：SiH4的合成、提純和熱分解。 （1） SiH4的合成 桂花鎂熱分解制備SiH4是工業(yè)上廣泛使用的方法。硅化鎂（Mg2Si）是由硅粉和鎂粉在500～550℃的氫氣（真空或氬氣）中混合而成。反應式如下： 2Mg+Si=Mg2Si 然后硅化鎂和固體氯化銨在液氨介質中反應生成SiH4。 Mg2Si+4NH4Cl=SiH4↑+2MgCl2+4NH3↑ 液氨不僅是介質，還更多 +
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標準氣鋁合金鋼瓶的特殊處理技術
A.標準氣鋼瓶的CL- 1 型特殊處理技術 該系列產(chǎn)品的特點是內表面涂覆光潔、憎水、耐蝕及化學惰性的涂層，具有很強的抗腐蝕和保持氣體純度的能力?？捎糜诔溲b高品級電子氣體，如硅烷、乙硼烷、磷烷、砷烷、氯化氫、二氯甲硅烷、三氯化硼及氨等氣體，國內首創(chuàng)，達到國際同類產(chǎn)品先進水平。該產(chǎn)品正逐步代替進口特種鋼瓶，用于充裝國內高品級特種氣體和出口用特種氣體。 合作方式：提供各種規(guī)格的特殊處理氣瓶。 B.標準氣鋁合金鋼瓶的CL-2型特殊處理技術 &nbs更多 +
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硅烷在使用中有哪些容易被大家忽略的安全風險
硅烷的一大應用是非晶半導體非晶硅。與單晶半導體材料相比非晶硅的特點是容易形成極薄的(厚度10nm左右)大面積器件，襯底可以是玻璃、不銹鋼、甚至塑料，表面可以是平面也可是曲面，因此可以制成各種性能優(yōu)異的器件。 如今，硅烷已成為半導體微電子工藝中使用的最主要的特種氣體, 用于各種微電子薄膜制備, 包括單晶膜、微晶、多晶、氧化硅、氮化硅、金屬硅化物等。硅烷的微電子應用還在向縱深發(fā)展: 低溫外延、選擇外延、異質外延。不僅用于硅器件和硅集成電路，也用于化合物半導體器件(砷化鎵、碳化硅等)。在超晶更多 +
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2019年電子氣體、標準氣體、高純氣體的發(fā)展現(xiàn)狀
隨著近年來國防工業(yè)、科學研究、自動化技術、精密檢測，特別是微電子技術的發(fā)展，特種氣體行業(yè)新興起來。特種氣體是工業(yè)氣體中的一個新興門類，從應用領域劃分，主要有電子氣體、高純氣體、標準氣體三大類。 近年來，隨著下游應用領域的逐步擴展，特種氣體的品種也與日俱增，據(jù)不完全統(tǒng)計，我國已有的特種氣體達260余種。 隨著非低溫氣體分離技術（吸附、膜分離）、混配技術和提純技術的發(fā)展，更多的特種氣體產(chǎn)品將逐步走向市場。 電子氣體主要分為氫化物（超純氫、硅烷、磷烷等更多 +
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硅烷制備多晶硅技術
伴隨著能源危機的不斷加劇，國家關于清潔動力的展開越來越重視，光伏工業(yè)作為清潔動力的代表之一，敏捷占領市場并廣受好評。跟著全球光伏商場的爆發(fā)性增長，作為光伏原料的多晶硅市場也是車水馬龍，而多晶硅制備技術也在不斷推陳出新，其中，改善西門子法、硅烷法、流化床法是市場應用最多的辦法。 現(xiàn)在來說，成功完成多晶硅商業(yè)化出產(chǎn)的流化床裝置都采用了硅烷流化床，其原料為硅烷與氫氣。硅烷易與其他氯硅烷別離，本身分化溫度低，分化率高，副反應少，這就賦予了硅烷流化床法很大的優(yōu)勢：精餾、尾氣處理工序簡單，能耗和單體出資都能大大降低，反應更多 +
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蝕刻技術中特種氣體的作用
硅片的蝕刻氣體（特種氣體）主要是氟基氣體,包括四氟化碳、四氟化碳/氧氣、六氟化硫、六氟乙烷/氧氣、三氟化氮等。但由于其各向同性,選擇性較差,因此改進后的蝕刻氣體通常包括氯基(Cl2)和溴基(Br2、HBr)氣體。反應后的生成物包括四氟化硅、四氯硅烷和SiBr4。鋁和金屬復合層的蝕刻通常采用氯基氣體,如CCl4、Cl2、BCl3等。產(chǎn)物主要包括AlCl3等 蝕刻是采用化學和物理方法,有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程?？涛g的目的是在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形?？涛g分為濕法蝕更多 +
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高純硅烷和普通硅烷的品質指標對比
高純硅烷的品質無統(tǒng)一規(guī)定，各個生產(chǎn)單位生產(chǎn)的硅烷品質通常有微小差別。下標是5N、6N級高純硅烷和普通硅烷品質指標。 從表中可以看出，5N級硅烷除氫氣、氦氣外，雜質氣體氧（氬）、一氧化碳+二氧化碳控制在0.4ppmv，其他雜質氣體均在0.2ppmv。6N級硅烷均控制在0.1ppm。普通硅則高了一個數(shù)量級，氯化物甚至達到了15ppmv，高了兩個數(shù)量級。更多 +
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國內高純硅烷灌裝流程
高純硅烷灌裝前，首先利用高純氮氣、氦氣對系統(tǒng)進行高壓檢漏，真空置換。然后分析氣源，氣瓶是否合格，待一切準備就緒后，生產(chǎn)儲罐輸送來的高純硅烷氣經(jīng)壓縮機增壓后通過灌裝控制面板充入已準備就緒的容器中，完成灌裝后，系統(tǒng)自動切斷。隨后更換下一批容器進行灌裝。如果灌裝時間間隔較長，灌裝完成后，應對系統(tǒng)進行減壓、置換，不可使系統(tǒng)中長期存有硅烷。 硅烷灌裝示意流程見下圖更多 +
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硅烷項目新進展
今日，國內硅烷氣項目建設有了新的進展。目前，年產(chǎn)3000噸硅烷氣項目二期工程已與6月25號試車投產(chǎn)，運行平穩(wěn)且達產(chǎn)達標，產(chǎn)品純度已達99.999999%，主要經(jīng)濟指標接近或達到國外同類產(chǎn)品指標要求。 該項目的建成達產(chǎn)標志著我國高純度硅烷大規(guī)模生產(chǎn)技術獲得突破，結束了國內高純度硅烷產(chǎn)品全部依靠進口的歷史。 該項目采用硅烷法實現(xiàn)高純度硅烷氣的工業(yè)化生產(chǎn)，解決了國外鎂硅法、氟硅法等傳統(tǒng)硅烷氣技術難以大規(guī)模生產(chǎn)以及成本高、排放大等難題，生產(chǎn)成本較國際同類產(chǎn)品低30%以上。更多 +
